Применение УФ-лазера с длиной волны 355 нм для точной маркировки диодов

ИС, диоды, транзисторы, резисторы и другие мелкие электронные компоненты являются обычными объектами для лазерной маркировки. Небольшие световые пятна микронного размера можно использовать для высокоточной микромаркировки на этих компонентах, а лазерная маркировка представляет собой постоянную маркировку, отвечающую требованиям защиты от подделок и отслеживаемости. требовать.

До применения лазерной маркировки производители этих электронных компонентов в основном использовали метод напыления кода или наклеивания маркировки. Эти методы не являются постоянными, и со временем они легко отпадают и становятся размытыми. После использования большой площади все еще трудно прочитать QR-код небольшого размера, напечатанный путем печати, и по сравнению с лазерной маркировкой эффективность низка.

После появления приложений для лазерной маркировки, волоконные лазеры, твердотельные лазеры и лазеры на углекислом газе стали играть важную роль в соответствующих областях для различных требований к маркировке материалов. Для точной маркировки небольших электронных компонентов большое внимание привлекают характеристики «холодной» обработки 355-нм ультрафиолетовых наносекундных твердотельных лазеров, и маркировка небольших электронных компонентов является одним из основных сценариев их применения.

Характеристика «холодной» обработки УФ-излучения с длиной волны 355 нм заключается в том, что энергия связи УФ-излучения с длиной волны 355 нм высока, что может напрямую разрушить молекулярные связи материала. Это разделение приводит к разделению молекул и материалов без выделения тепла и воздействия на периферию маркируемой поверхности. Материал считается «холодной» обработкой, что также является одним из отличий УФ-лазера с длиной волны 355 нм от других типов лазеров. При очень узкой ширине импульса (<25 нс) степень теплового воздействия невелика, а сам материал можно защитить от энергии импульса. термических повреждений.

Простые характеристики фокусировки и отличное качество луча (M2<1,2) ультрафиолетового света с длиной волны 355 нм обеспечивают очень малую фокусировку после фокусировки, минимум может достигать десяти микрон, что подходит для тонкой графической маркировки диодов, триодов, интегральных схем и других компонентов. . , минимальная высота символа метки может достигать 0,5 мм, ширина линии метки находится в пределах нескольких десятых долей миллиметра, а нанесение небольшого двумерного кода не является проблемой. Ключевым моментом является то, что качество маркировки очень высокое, край маркировки четкий, переход плавный, общее разрешение высокое, а скорость распознавания кода сканирования высокая, что удобно для последующего отслеживания и отслеживания.

Сегодня, с удивительно быстрым развитием крупномасштабных и сверхкрупномасштабных технологий и приложений интегральных схем, их промышленные масштабы растут быстрыми темпами, а также повышаются требования к эффективности маркировки. Превосходное качество наносекундного УФ-лазера с длиной волны 355 нм, преимущество отсутствия захвата материалов и его высокая гибкость могут быть легко интегрированы в производственную линию, чтобы помочь улучшить качество и эффективность производственной линии и удовлетворить требования массового производства. Мощный помощник для тонкой маркировки продукции.