Применение УФ-лазерной резки в полупроводниковых пластинах

       В последние годы, с быстрым развитием оптоэлектронной промышленности, спрос на высокоинтегрированные и высокопроизводительные полупроводниковые пластины продолжает расти. Такие материалы, как кремний, карбид кремния, сапфир, стекло и фосфид индия, широко используются в качестве материалов подложки для полупроводниковых пластин. При значительном увеличении интеграции пластин пластины становятся легче и тоньше, а многие традиционные методы обработки больше не применимы, поэтому в некоторых процессах внедряется технология невидимой лазерной резки.

       Технология лазерной резки имеет множество уникальных преимуществ:

       1. Бесконтактная обработка: при лазерной обработке только лазерный луч соприкасается с обрабатываемой деталью, и на разрезаемую часть не действует сила резания, чтобы избежать повреждения поверхности обрабатываемого материала.

       2. Высокая точность обработки и низкое тепловое воздействие: импульсный лазер может достигать чрезвычайно высокой мгновенной мощности, чрезвычайно высокой плотности энергии и низкой средней мощности, а также может мгновенно завершить обработку с чрезвычайно малой площадью термического воздействия, обеспечивая высокоточную обработку и малый нагрев. Пораженная область .

       3. Высокая эффективность обработки и хорошие экономические преимущества: эффективность лазерной обработки часто в несколько раз выше, чем у механической обработки, при этом отсутствуют расходные материалы и загрязнение. Технология скрытой лазерной резки полупроводниковых пластин - это совершенно новый процесс лазерной резки, который имеет множество преимуществ, таких как высокая скорость резки, отсутствие пыли во время резки, отсутствие потери режущей подложки, небольшой путь резки и полный сухой процесс. Основной принцип скрытой резки заключается в том, чтобы сфокусировать короткоимпульсный лазерный луч через поверхность материала в середине материала, сформировать модифицированный слой в середине материала, а затем отделить стружку внешним давлением.

       Станки для УФ-лазерной резки широко используются в полупроводниковых интегральных схемах, включая нарезку одинарных и двойных меза-стеклянных диодных пластин, нарезку одинарных и двойных меза-тиристорных пластин, арсенид галлия, нитрид галлия, резку пластин ИС.