Лазерное микросверление «сквозных» отверстий, также известных как сквозные отверстия, в полупроводниковых пластинах Si, InP и InSb было изучено с использованием миллисекундных импульсов многомодового иттербиевого волоконного лазера IPG Laser Model YLR-2000 CW мощностью 2 кВт и JK400 ( 400 Вт) волоконный лазер, оба с длиной волны 1070 нм. Гибкость этой длины волны лазера и простая схема импульсов были продемонстрированы для полупроводниковых подложек с узкой (InSb Eg 0,17 эВ) и широкой (InP Eg 1,35 эВ)) запрещенной зоной при комнатной температуре Eg по отношению к энергии фотона 1,1 эВ. Оптическая микроскопия и анализ поперечных сечений использовались для количественной оценки размеров отверстий и распределения отлитого материала для всех пластин, а для кремния - любых микротрещин как для (100), так и для (111) ориентаций монокристаллической поверхности кремниевых пластин. Было обнаружено, что температуропроводность не является достаточным параметром для предсказания относительных размеров отверстий для исследованных монокристаллических полупроводников Si, InP и InSb. Детальные наблюдения для Si показали, что между пороговыми энергиями поверхностного плавления и интенсивностью излучения для сверления «сквозного» отверстия от передней поверхности к задней поверхности существует диапазон значений интенсивности излучения, при котором микротрещины возникают вблизи окружности отверстия. Исследованы направленность и длина этих микротрещин для ориентаций (100) и (111) и обсуждены возможные механизмы образования, в том числе критерий Гриффита для микротрещин и механизм усталостного разрушения, обычно применяемый при сварке металлов. Для Si выше уровня облучения для образования сквозного отверстия наблюдалось небольшое количество трещин. В будущей работе будет проведено сравнение аналогичных наблюдений и измерений на других узкозонных и широкозонных полупроводниковых подложках. Мы продемонстрировали одно применение этого процесса лазерного микросверления для микроизготовления сквозного отверстия, точно расположенного в центре атомного чипа на основе кремния, который был сформирован с использованием методов полупроводниковой литографии. Приложением конечного пользователя был источник холодного атома с магнитооптической ловушкой (МОЛ).