Почему приложения обработки микроэлектроники выигрывают от использования УФ-лазеров RFH

Почему приложения обработки микроэлектроники выигрывают от использования УФ-лазеров RFH

Сайт: http://www.rfhtech.com

WhatsApp (Вечат): 18928466502

Электронная почта: export06@rfhlasertech.com

Ультрафиолетовые лазеры используются во многих отраслях промышленного производства, особенно в микроэлектронике и производстве дисплеев. Это связано с тем, что ультрафиолетовый свет обладает уникальными свойствами, которые позволяют выполнять микрообработку и другие виды структурирования деталей с большей точностью и меньшими термическими повреждениями.

Наносекундные УФ-лазеры RFH — истребители микроэлектроники

Есть три причины, по которым УФ-лазеры могут это делать. Во-первых, почти все — пластмассы, органические материалы, металлы и полупроводники — сильно поглощают УФ-излучение. Таким образом, энергия лазера эффективно воздействует на материал, а не только насквозь. Это также делает УФ-лазеры особенно эффективными при обработке композитных и многослойных материалов, которые все чаще используются в микроэлектронике и других отраслях промышленности.

Во-вторых, высокое поглощение также означает, что УФ-лазер не проникает глубоко в материал, эффективно уменьшая размер так называемой «зоны термического влияния». Области, окружающие элементы, созданные лазером (разрезы, отверстия и т. д.), которые могут быть повреждены или изменены лазером.

В-третьих, УФ-свет может быть сфокусирован лучше, чем более длинноволновый видимый или инфракрасный (ИК) свет. Это означает, что УФ-лазеры могут делать меньшие отверстия или более узкие разрезы.

Наносекундный лазер попадает в «золотую середину»

Твердотельные лазеры с диодной накачкой и шириной импульса наносекунды являются наиболее популярными промышленными источниками УФ-излучения, потому что они представляют собой «золотую середину» для большинства производителей. Они экономически привлекательны (в долларах за ватт), обычно работают при относительно высоких частотах повторения импульсов, а также имеют довольно высокую выходную мощность. Это обеспечивает рентабельное высокопроизводительное производство.

Но производители стремились к дальнейшему совершенствованию своих процессов и снижению затрат. В случае лазерных источников это обычно означает более высокую выходную мощность, поскольку это обычно увеличивает производительность процесса.

Описать характеристики УФ-лазера RFH с длиной волны 355 нм в обрабатывающей промышленности микроэлектроники.

Есть только одна небольшая проблема с твердотельными УФ-лазерами. (На самом деле их много, но мы говорим только об одном!) Это потому, что твердотельные лазеры излучают инфракрасный (ИК) свет. Поэтому внутри лазера используется кристалл генерации третьей гармоники (THG) для преобразования инфракрасного света в ультрафиолетовый свет.

Но помните, насколько хорошо большинство материалов поглощают УФ-излучение? Это означает, что трудно избежать поглощения хотя бы некоторой лазерной энергии в кристалле ГТГ. И, поскольку он находится внутри лазера, кристалл THG подвергается воздействию большого количества УФ-излучения.

Импульсный наносекундный УФ-лазер RFH

Одним из решений этой проблемы является создание в лазере механизма, который периодически физически перемещает кристалл ГТГ. Идея состоит в том, чтобы постоянно менять фокус лазерного луча в кристалле до того, как он выйдет из строя в каком-либо конкретном месте.

Этот метод работает хорошо. Но очевидно, что это увеличивает стоимость и сложность лазера. Кроме того, каждый раз, когда кристалл перемещается в новое место, происходят незначительные изменения выходной мощности и других параметров луча, которые влияют на процесс и, следовательно, на качество детали.

Другой подход состоит в том, чтобы полностью игнорировать проблему и держать кристалл THG в одной точке, пока лазер не исчезнет. Это удешевляет лазерную головку, что является хорошей идеей, если вы не возражаете против низкой надежности лазера, низкой стабильности выходного сигнала или короткого срока службы (<3000 часов).